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[新闻] 【转】全球首颗二维-硅基混合架构芯片,研究成果在Nature发表

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发表于 2025-10-12 10:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
芯东西10月11日报道,10月8日,复旦大学团队研发的全球首颗二维-硅基混合架构芯片,相关研究成果在国际顶级学术期刊Nature上发表。

据复旦大学公众号介绍,这颗芯片性能“碾压”目前的Flash闪存技术,首次实现了混合架构的工程化。依托前期完成的研究成果与集成工作,此次打造出的芯片已成功流片。

https://eu.36kr.com/zh/p/3504599182859398

【“破晓”poX皮秒存储闪存芯片,比传统闪存速度快100万倍,比传统内存快几十倍,将淘汰传统内存。】
https://www.bilibili.com/video/B ... 3545c918357371a7c08

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发表于 2025-10-12 13:11 | 显示全部楼层

下一步,周鹏-刘春森团队计划建立实验基地,与相关机构合作,建立自主主导的工程化项目,并计划用3-5年时间将项目集成到兆量级水平,期间产生的知识产权和IP可授权给合作企业。

展望未来,该团队期待该技术颠覆传统存储器体系,让通用型存储器取代多级分层存储架构,为人工智能、大数据等前沿领域提供更高速、更低能耗的数据支撑,让二维闪存成为AI时代的标准存储方案。

还需要发展
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发表于 2025-10-12 18:58 来自手机 | 显示全部楼层
这玩意是不是可以搞存算一体
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发表于 2025-10-12 19:19 来自手机 | 显示全部楼层
离实用还早着呢

国内研究相变存储的,比如铁电存储器,耐高低温,上亿次写,能买到的成品不足1MB

这个还需要3-5年达到兆(M)级

DRAM和NAND都是能大规模量产的,Intel的傲腾能把成本降下来,或许现在还活着
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发表于 2025-10-12 20:01 | 显示全部楼层
本帖最后由 Sza 于 2025-10-12 21:19 编辑
superlattice 发表于 2025-10-12 19:19
离实用还早着呢

国内研究相变存储的,比如铁电存储器,耐高低温,上亿次写,能买到的成品不足1MB

类似傲腾的产品国内有一家叫新存科技的企业在做,它家把自己的官网都关闭了

查了下,武汉的天链芯和新存科技有合作关系,出了款持久内存产品“PCM-MEM扩展内存模组” https://tlxic.com/?lm1/72.html


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