Techinsights正式确认麒麟芯片采用SMIC 7nm(N+2)工艺

niubility

laotoutou 发表于 2023-9-6 09:23
据说德国只有8个人能磨蔡司出品的euv用镜片。
我等着东大培训出80个来 ...

才8个，一次车祸或食物中毒就能解决这个行业

—— 来自 S1Fun

masakaha

laotoutou 发表于 2023-9-6 09:23
据说德国只有8个人能磨蔡司出品的euv用镜片。
我等着东大培训出80个来 ...

太扯了吧，主要还是靠精密机床，人工怎么能做到原子级别的精度

phorcys02

laotoutou 发表于 2023-9-6 09:23
据说德国只有8个人能磨蔡司出品的euv用镜片。
我等着东大培训出80个来 ...

euv反射镜消息是最早的吧， 18还是19年 长光-哈工大就发了paper了
制造的euv反射镜 反射率比asml的只低1个百分点，印象里是 71% vs 70%好像？
磨镜子本身简单，主要是那个多层镀膜比较难

这都5年过去了

shiraikuroko

phorcys02 发表于 2023-9-6 11:51
euv反射镜消息是最早的吧， 18还是19年 长光-哈工大就发了paper了
制造的euv反射镜 反射率比asml的只低1 ...

搞笑的是，EUV反射镜是消耗品

对消耗品，成本和质量同样重要

Sza

转自评论区网友：

自对准四轴图形(SAQP)、有源栅极上接触(COAG)、设计技术协同优化（DTCO）、SDB(不知道)

我百度搜了下：单扩散区切断(singlediffusionbreakdown,sdb)或者是硅直接键合(SDB)，这里指的可能是前者。

飞侠小黑

lvseqiji 发表于 2023-9-6 08:08
如果国家牵头做技术共享，其他fab也可以付费用中芯工艺，那这样搞的话。。。

—— 来自 Xiaomi 23049RAD8C ...

付钱这种事情根本就不存在

auraria

春眠不觉晓 发表于 2023-9-6 06:54
目前有个问题就是中芯7nm产能不够，因为华为不光麒麟，还有晟腾 泰山 鲲鹏等一些列芯片需要7nm产能。而且不 ...

产能不够其实是好事，有需求有订单才有资金支持继续研发。台积电超越牙膏厂的一大原因就是吃上移动处理器的产能红利。

—— 来自 nubia NX729J, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

acalephs

风怒

acalephs

Sza 发表于 2023-9-5 22:45
转自评论区网友：

我百度搜了下：单扩散区切断(singlediffusionbreakdown,sdb)或者是硅直接键合(SDB)，这 ...

SDB是Single Diffusion Break，指两个晶体管的有源区之间不再放置一个隔离用的有源区，只是用一个栅极断开有源区。传统的隔离是在两个电位不同的有源区之前隔开一个晶体管的间距，并挖个槽隔离；SDB是两个有源区只隔开一个栅极，在栅极下面挖槽隔离，相比原本省下了一个晶体管的间距；还有一种CNOD是直接不挖槽，只是用一个常关的栅极来分隔两个有源区。

SDB和COAG都是有代价的，台积电在N5引入了COAG，到了N3又放弃了。SDB虽然有，但是还是CNOD更常用。

宏.

shiraikuroko 发表于 2023-9-6 13:30
搞笑的是，EUV反射镜是消耗品

对消耗品，成本和质量同样重要

EUV反射镜需要频繁清洗是因为锡

问题之后是用不用锡还两说呢

深圳市计算机学会走进深圳综合粒子设施研究院活动圆满完成
深圳市计算机学会 2023-04-19 15:00 发表于广东

最后，深圳综合粒子设施研究院副研究员付锦江博士作《同步辐射光源在集成电路产业极紫外光刻技术中的应用》报告，为大家介绍了EUV光刻的相关知识。EUV光刻是sub-7 nm光刻工艺的主流路径，ASML是目前世界上唯一的EUV光刻机生产商。同步辐射光源具有波长连续可调，无污染和高稳定性等特点，其在EUV光刻技术的发展和商业化过程中一直发挥了极为关键的作用，许多国家均在各自同步辐射光源上建设专门用于EUV光刻技术研发的线站。为了打破国际封锁，推动我国集成电路技术发展，我国迫切需要进一步开展EUV光刻技术方面的研究，为此，深圳产业光源系统规划了极紫外光刻线站和极紫外检测线站等合计四条光束线，六个实验站。

shiraikuroko

斑驳的阴影 发表于 2023-9-6 07:42
真男人有fab！

真男人肯定要有厂子，就算不够量大，也要能够自己流片测试的


—— 来自 HUAWEI ELE-AL00, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

shiraikuroko

laotoutou 发表于 2023-9-8 09:57
那看来9000s就是1980生产的。

量产可能 不够，但是流片还是可以做的

无念

说实话14nm节点卡的也够久了，我读书那会就在听国内14/12nm的吹风了，这都多少年了

—— 来自 HONOR SDY-AN00, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

tillnight

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:44
不得不说现在最小丑的是观棋有语的苏新晨，到现在还在嘴硬是TSMC代工的，然后拿个国内的没源头消息试图挽尊 ...

小问题，过两年可以说自己在战忽

Lokad

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:44
不得不说现在最小丑的是观棋有语的苏新晨，到现在还在嘴硬是TSMC代工的，然后拿个国内的没源头消息试图挽尊 ...

就AI制裁这阵势，他还在做梦GPU能拿去给台积电代工啊。

Lokad

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:50
这人被扒过好几次了，我觉得叫他超级小苏没毛病

我不知道他是哪来的底气觉得没手机这事就能瞒天过海量产计算芯片的台积电可是被严令上交客户清单的。

zewubbfa

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:44
不得不说现在最小丑的是观棋有语的苏新晨，到现在还在嘴硬是TSMC代工的，然后拿个国内的没源头消息试图挽尊 ...

这傻逼就是个开假网店骗扶贫补贴的骗子出身，你真以为他知道什么不成？

Lokad

lvseqiji 发表于 2023-9-10 17:03
这群人又不需要底气，只要装自己有料就行

我还以为揭露台积电库存真相了呢，原来是在抱怨被卡脖子了。能媲美先进算力芯片的东西老妹还让你生产，人制裁白搞了不是，这也能怪到手机上。
况且禁止代工的消息是8月29日之前就有自媒体发了，他还是把馊饭端出来的那个。（一眼AI写作，标题禁止代工 内容一坨）
https://xueqiu.com/6105372918/255478538
禁止GPU代工本来就是AI禁令的一环，一点B术都没有。

shiraikuroko

不是中芯，也不是TSMC，大概率是中芯南方

2020年7月，中芯国际放弃优先认购权，转让给大基金，中芯国际占中芯南方股份比例由50.1%降到38.5%，大基金占比37.5%，地方政府24%，中芯南方由中芯国际子公司变为参股公司。
中芯南方现在是独立公司，无实际控制人，不属于上市公司子公司，也就不存在公众公司应该披露的义务和责任。

目前中芯南方有6台1980Di、5台2000i、4台2050Di，再加上华为自己两台1980Di，撑到5nm量产完全没有问题，等两年国产EUV全面推开，干的就是台积电、三星

zerona

shiraikuroko 发表于 2023-09-10 17:26:09
不是中芯，也不是TSMC，大概率是中芯南方

2020年7月，中芯国际放弃优先认购权，转让给大基金，中芯国际占 ...

这大基金背后是不是就有大嘴的影子啊哈哈

  -- 来自 有消息提醒的 Stage1官方 Android客户端

mrkikokiko

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:44
不得不说现在最小丑的是观棋有语的苏新晨，到现在还在嘴硬是TSMC代工的，然后拿个国内的没源头消息试图挽尊 ...

这朋友圈真是太搞笑，壁仞早就被制裁不能在台积电流片了

银光闪耀

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:44
不得不说现在最小丑的是观棋有语的苏新晨，到现在还在嘴硬是TSMC代工的，然后拿个国内的没源头消息试图挽尊 ...

新闻口才是反思殖人主力军，毕竟这些东西已经被巴普诺夫驯化到只要拿出骨头就流出口水开始舔了

Sza

The Possibility of Using 193 NM Immersion Lithography Process For 5 NM Logic Design Rules
https://ieeexplore.ieee.org/document/10219265
机翻

标题：在 5 NM 逻辑设计规则中使用 193 NM 沉浸式光刻工艺的可能性
摘要：
一般认为，极紫外光（EUV）光刻技术已从 5 纳米逻辑技术节点开始大规模使用。在此，我们将分析使用 193 纳米浸没式光刻技术和多种图案技术制造 5 纳米设计的可能性，因为它已引起业界的极大兴趣。我们将分析线宽均匀性和叠加的工艺挑战，以及蚀刻工艺的挑战。
发表于：2023中国半导体技术国际会议（CSTIC）
会议日期： 2023年6月26-27日
会议地点：中国上海
介绍：
7 nm 和 5 nm 设计的典型鳍片间距 (FP) 分别为 30 nm 和 22.5-25 nm。7 纳米和 5 纳米设计的典型接触式多孔隙 (CPP) 分别为 56 纳米和 48-50 纳米。如表 I 所示，7 纳米和 5 纳米设计的典型最小金属间距（MMP）分别为 40 纳米和 30-32 纳米[1]。对于前端（FEOL）鳍片层和栅极层，通常分别采用带切口的自对齐四重图形（SAQP）和自对齐双重图形（SADP）。对于 7 纳米金属工艺的后端线（BEOL）层，可使用带切割的自对准光刻（SALELE 或 SALE2）和 193 纳米浸入式光刻。对于 5 纳米到 30 纳米间距的工艺，也可以采用同样的方法，即使用 EUV。但是，对于 193 纳米浸入式光刻，似乎必须对这种工艺进行修改，以包括容易产生额外叠加误差的蚀刻光刻 (LELE) 工艺。对于通孔层，需要使用额外的硬掩膜层，并改进蚀刻工艺。线路中间层 (MOL) 也面临类似的挑战。在本文中，我们将根据先前研究[2]中的 FP 为 22.5 nm、CPP 为 50 nm、MMP 为 30 nm 的 SRAM 单元模型来分析工艺挑战。

四位作者均来自国家集成电路创新中心。（百度百科：国家集成电路创新中心由复旦大学、中芯国际和华虹集团三家单位共同发起，逐步吸收更多龙头企业和研究机构，打造国家集成电路共性技术研发平台，着力解决我国集成电路主流技术方向选择和可靠技术来源问题，为产业升级提供技术支撑和知识产权保护。）

shiraikuroko

zerona 发表于 2023-9-10 18:31
这大基金背后是不是就有大嘴的影子啊哈哈

  -- 来自 有消息提醒的 Stage1官方 Android客户端 ...

不是，是国家力量

华为再怎么也是一个企业，这种级别的攻关只能靠国家力量

—— 来自 HUAWEI ELE-AL00, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

tillnight

可以理解成大基金就是代持的，未来还是要退出还给中芯的。纯属纸面合规式的操作。

shiraikuroko

tillnight 发表于 2023-9-10 19:44
可以理解成大基金就是代持的，未来还是要退出还给中芯的。纯属纸面合规式的操作。 ...

不一定，也可能是直接独立公司，做中积电，毕竟中芯南方就是先进制程专门成立的

Sza

“ 麒麟9000s有两个工艺库，一个推测是高性能库，用在超大核，大约为80Mtrs，一个推测是高密度库，用在其他区域，大约为100Mtrs

这个工艺综合水平已经达到甚至部分超越了台积电N7 ”

thez

SinoWarrior 发表于 2023-9-10 16:44
不得不说现在最小丑的是观棋有语的苏新晨，到现在还在嘴硬是TSMC代工的，然后拿个国内的没源头消息试图挽尊 ...

这么傻逼的么……