IBM"付钱"卖掉半导体制造事业(包括WiiU CPU的制造)

Quasistatic · 发表于 2014-10-21 23:51

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Quasistatic · 发表于 2014-10-22 00:26

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navarra · 发表于 2014-10-22 02:02

又开始胡说八道了，wiiu的处理器是用的瑞萨的生产线，存片你真爱之前先好好查一查资料好不？

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navarra · 发表于 2014-10-22 02:05

另外你咋不说sony和微软也脱任了呢？上世代家用机全是ibm的cpu设计，sony当初还和ibm一起搞了个工厂，然后在cell计划失败后贱卖了，微软没记错的话应该直接找的tsmc

----发送自 samsung SM-N9002,Android 4.4.2

tyx776 · 发表于 2014-10-22 02:06

果然是游戏区。我还在想为什么不是中国土豪去买下呢

navarra · 发表于 2014-10-22 02:11

其实挺怀念的，以前还有个高清视界专家马爵爷，现在只有存片这种货色了

----发送自 samsung SM-N9002,Android 4.4.2

qwased · 发表于 2014-10-22 02:11

存伯伯你够了，说好了不玩马甲的！

番茄小豆汤 · 发表于 2014-10-22 03:28

存片这马甲id好专业，还用的QS，估计还有个Dynamic吧

350280002 · 发表于 2014-10-22 08:13

我觉得存伯伯肯定编写了一套ai 哪怕自爆了也能按照这个风格继续发帖下去

----发送自 LGE Nexus 5,Android 4.4.4

Quasistatic · 发表于 2014-10-22 08:25

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Quasistatic · 发表于 2014-10-22 08:26

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神手之兔 · 发表于 2014-10-22 09:14

所以这神经病没人来管管么。。。这得是多扭曲啊

luoyianwu · 发表于 2014-10-22 09:30

一人一块钱救救游戏区

navarra · 发表于 2014-10-22 10:09

瑞萨的鹤冈工厂倒台完全就是瑞萨自己作死，社长反应迟钝导致的，任地狱又躺枪，存伯伯你专业点吧

----发送自 samsung SM-N9002,Android 4.4.2

navarra · 发表于 2014-10-22 10:10

而且这么大的人啦了，做事还跟个娘们似的，哎呀哎呀

----发送自 samsung SM-N9002,Android 4.4.2

三狮之泪 · 发表于 2014-10-22 10:27

navarra 发表于 2014-10-22 02:02
又开始胡说八道了，wiiu的处理器是用的瑞萨的生产线，存片你真爱之前先好好查一查资料好不？

----发送自 s ...

瑞萨做的是GPU核心里用的EDRAM，IBM做的是CPU部分

当然说IBM做，也是推测，因为往CPU里塞EDRAM这档子事情，只有IBM在POWER 7上做过，INTEL也是刚刚开始（Haswell GT3e，128m的edram，用作L4 cache，和任地狱和IBM在CPU里干的还不一样，更类似于任天堂在GPU核心里的那32m的Edram的作用，实际工作效能，跟类似于显存。）

实际上，WiiU的GPU和CPU的设计都是任天堂自己做的，而这些东西，台积电都能做

TANA · 发表于 2014-10-22 10:59

不是也包括PSV的CPU么

navarra · 发表于 2014-10-22 11:19

三狮之泪发表于 2014-10-22 10:27
瑞萨做的是GPU核心里用的EDRAM，IBM做的是CPU部分

当然说IBM做，也是推测，因为往CPU里塞EDRAM这档子事 ...

混乱了，cpu是IBM的SOI工艺，GPU包括edram缓存都是瑞萨的40nm，两者组装到一起也是瑞萨负责的
话说回来......SOI三家，三星，新加坡特许，IBM最后都卖给了GF，结果GF的20nm还没用soi，真是讽刺

1.技术方面
影响SOI技术应用有材料方面的，也有集成电路制造方面的问题。
材料方面。SOI材料的质量是影响SOI技术发展的决定因素。SOI材料是在体单晶硅的基础上，进一步加工而成的。在此过程中杂质沾污、晶格缺陷、氧化层缺陷，以及顶层硅的均匀性都是SOI材料要解决的重要问题。
器件和电路方面。任何事物都有两个方面，完全介质隔离带来一系列优势，同时也带来负面影响。例如：浮体效应、自加热效应等。
　　由于完全介质隔离，器件的体区通常是浮着的，虽然浮体对提高器件的速度有利，但是也会带来一系列问题，如kink效应、历史效应等。解决这些问题需要从工艺和电路设计，尤其是版图设计方面综合考虑。解决kink效应的方法之一，是采用全耗尽SOI技术，一般认为当顶层硅的膜厚小于100nm属于全耗尽，大于100nm属于部分耗尽。理论上，全耗尽SOI CMOS器件的性能更优越。但是其器件的阈值电压(VT)受厚度变化影响很大。目前，SOI产品基本上是采用PD-SOI技术。
　　静电放电一直是CMOS集成电路需要关注的重要问题之一，SOI CMOS集成电路的防静电放电技术更具挑战性。
　　体硅集成电路下面的衬底可以提供散热途径，而SOI的散热途径被中间的氧化层阻隔，所以这也是需要关注的问题之一。
2.成本方面
　　材料成本也是影响SOI技术使用的重要因素，前面提到SOI材料是在体单晶硅的基础上经再加工而制成的，材料成本当然要比硅单晶材料高。微电子技术之所以能快速而持续地发展是和地球上存在丰富而廉价的硅资源分不开的。

navarra · 发表于 2014-10-22 11:27

TANA 发表于 2014-10-22 10:59
不是也包括PSV的CPU么

是ps3，当时的CELL计划完全是步子太大扯到蛋的典型，然后出来的产品也是高不成低不就，后续推广也不利.......
话说回来，单核+8spe的设计真是太扯淡了

oldq · 发表于 2014-10-22 21:19

故意被钓鱼

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