面对“半导体大周期”，三星与SK海力士提前生产计划

璇瑢子R

https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/02/18/LC7BT5TM7ZF25PRZAFVNPOBSD4/?utm_source=naver&utm_medium=referral&utm_campaign=naver-news

面对“半导体大周期”，三星与SK海力士提前生产计划
三星电子平泽P4、SK海力士龙仁1期工厂，预计将比预期提前投产
预计到明年内存短缺情况仍将持续
记者：柳志韩
发布时间：2026年02月18日 12:00
由于“半导体大周期（Mega Cycle）”导致内存供需失衡加剧，三星电子和SK海力士等韩国半导体企业开始提前启动目前正在建设中的晶圆厂（生产设施）。
直到去年年底，由于担心重演过去内存企业间过度价格竞争的“自杀式竞争（Chicken Game）”，这些企业还在控制供应速度。但随着预测内存繁荣将长期持续，企业战略已转向提前生产计划，以积极利用这一大周期。特别是考虑到在国家全方位支持下的中国企业可能乘虚而入，韩国企业此举被解读为旨在维持现有客户的同时，通过快速扩大产能来应对新需求。
◇ 三星与SK海力士进入提前生产模式
SK海力士目前正在建设龙仁半导体集群的1期工厂，目标是明年5月竣工。目前，1期工厂的外部骨架工程已完成约一半，全部6个洁净室（Clean Room）中的3个正在同步建设中。洁净室是严格控制灰尘、微生物、微粒等污染，保持洁净的特殊室内空间。SK海力士龙仁1期工厂为三层结构，规模相当于清州M15X工厂的6倍。
据悉，SK海力士正准备早于预定竣工时间进行试运行，预计最早在明年2至3月左右。其计划是在龙仁1期工厂先建成的洁净室中快速搬入设备，投入早期运行。预计该厂将生产AI（人工智能）时代需求激增的高性能DRAM（如DDR5等）和HBM（高带宽内存）。
三星电子也正在建设平泽P4（4号工厂）。原定竣工时间为明年第一季度，但据传计划提前至今年第四季度，将生产日程缩短约3个月。三星电子会根据市况调整内存和代工设备的比例，目前P4预计将生产供应短缺的高性能内存。据悉，三星最近制定了在P4工厂新建用于HBM的10纳米级第6代（1c）DRAM生产线的战略，该生产线月产能预计可达10万至12万片晶圆。
一位半导体业界人士表示：“韩国内存企业为了提前投产时间，目前正处于非常忙碌的状态。”
根据市场研究机构Omdia的数据，三星电子的年度DRAM产能（以晶圆为基准）预计将从2024年的747万片增加到今年的817.5万片。同期，SK海力士的产能预计也将从511.5万片扩大到639万片。随着三星平泽新厂和SK海力士龙仁1期工厂进入早期投产，明年的产量预计将进一步增加。
◇ 供应难以跟上需求
三星和SK海力士提前生产计划的背景是：由于AI数据中心的扩大，服务器等高性能DRAM需求激增。此外，由于生产线正集中于高附加值半导体HBM，导致通用DRAM的生产量相对有所减少。
KB证券分析称：“截至今年2月，内存半导体的供应短缺程度比去年第四季度更加严重，主要客户的需求满足率仅为60%。三星电子内存出货量的70%正被AI数据中心企业吸收。”
花旗集团（Citigroup）分析显示，今年DRAM供应增长率为17.5%，NAND闪存供应增长率为16.5%。相比之下，DRAM需求增长率预计为20.1%，NAND闪存为21.4%。需求超过供应的情况仍在持续。Morningstar和摩根大通（JP Morgan）等主要市场调查机构预测，内存供应不足将持续到2027年。DS投资证券也表示：“如果2027年的供应增长仅停留在1%，那么这一轮DRAM周期将至少持续到2027年。以服务器为中心的DRAM需求直接关系到竞争力，很难轻易减少，预计价格上涨将持续到2026年第三季度。”
三星电子和SK海力士在最近的业绩发布中也表示，为应对内存短缺，今年将增加资本支出。三星电子内存事业部副社长金在俊（音译）表示：“随着AI相关需求预计持续，计划大幅扩大2026年的设施投资规模。但由于今年和明年的设备扩张预计有限，供应短缺现象加剧的可能性很高。”
一位半导体业界人士表示：“企业的意图是快速进入试运行以稳定量产体系，并向客户发出能够稳定供货的信号。”
(注：翻译自《朝鲜日报》2026年2月18日报道内容


论坛助手,iPhone