存储价格博弈升级：三星HBM3E降价

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《科创板日报》10月28日讯，存储行业巨头三星电子在新一代高带宽内存（HBM）即将发布之际，针对其12层HBM3E推出了高达30%的降价策略，试图抢占市场份额。这一“价格战”的背后，反映出三星在产品良率爬坡速度上的挑战，导致其在市场竞争中逐渐落后。

根据Digitimes的最新报道，三星的12层HBM3E产品直到今年9月才通过了英伟达的测试，并正式开始供应。预计在今年第四季度，三星的HBM3E出货量将达到数万片。然而，与SK海力士和美光等竞争对手相比，三星的出货时间明显滞后。公开资料显示，SK海力士早在2024年便已通过良率测试，并确认将向英伟达供应HBM3E产品。与此同时，美光的HBM3E产品良率也在不断提升，预计出货量将超过8层HBM3E。

在良率与市场份额双双落后的局面下，三星早在今年7月便传出将向部分客户提出HBM3E的降价提案，以促进商用合作。三星方面提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化，短期内市场价格也可能受到影响。

不过，从产品迭代的趋势来看，HBM3E仅是高带宽内存系列中的第五代产品。近期有消息称，三星正在加紧推进第六代高带宽内存HBM4的研发，并计划于10月27日至31日的2025年三星科技展上发布12层HBM4，预计将在今年晚些时候进入量产阶段。其他存储厂商方面，SK海力士已在今年9月表示完成全球首款HBM4的开发工作，随时准备量产。

在HBM4全面接棒老款产品的背景下，英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级也在加速进行。去年，英伟达CEO黄仁勋曾预告推出Blackwell Ultra AI芯片，该芯片将采用HBM4内存。根据TrendForce集邦咨询的最新调查，英伟达近期还积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，其中包括HBM4的每引脚速度需调升至10Gbps。

在价格趋势方面，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，预计达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。此外，另有机构预计，明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3E高出60%以上。

目前来看，三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低。根据韩国KB证券研究主管Jeff Kim的预测，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能超越HBM。根据其估算，三星在7-9月期间标准DRAM业务的运营利润率约为40%，而HBM业务则达到了60%。

此外，近日有消息称，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续调整报价，包括DRAM和NAND在内的存储产品价格将上调高达30%，以顺应AI驱动的存储芯片需求激增的趋势。

综上所述，三星在新一代HBM发布前夕的降价策略，虽然意在抢占市场，但在当前良率与市场份额的双重压力下，能否真正撼动DRAM市场格局，仍需时间来验证。



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