rapidus的2nm极限密度公布了，以极其微小的优势超过了TSMC的无印2nm

patema · 发表于 2025-9-1 12:36

https://t.bilibili.com/1107307362837856256

依然荏苒 · 发表于 2025-9-1 13:46

明年能提供pdk吧，虽然技术是IBM开发提供的，但是量产之路还很远，初期良品率能有7成么？不管怎么说都是日本最后一博了，失败了就再也没重来的机会了。

2017.05.04 · 发表于 2025-9-1 13:57

哐哐招人，砸钱挺狠的

t222 · 发表于 2025-9-1 18:41

不是说砸钱去台积电头工艺的

—— 来自 realme RMX5010, Android 15, 鹅球 v3.5.99

勿徊哉 · 发表于 2025-9-1 20:03

7成？两成就行

大暴死 · 发表于 2025-9-1 22:51

t222 发表于 2025-9-1 18:41
不是说砸钱去台积电头工艺的

—— 来自 realme RMX5010, Android 15, 鹅球 v3.5.99

读书人的事怎么能说偷呢

—— 来自 Xiaomi 25019PNF3C, Android 15, 鹅球 v3.5.99

龙骑士尹志平 · 发表于 2025-9-1 23:25

18a那么菜啊？密度只比三星3nm强点

mcq_2 · 发表于 2025-9-1 23:35

3nm到2nm节点没什么区别啊。

acalephs · 发表于 2025-9-2 02:04

mcq_2 发表于 2025-9-1 07:35
3nm到2nm节点没什么区别啊。

N2主要是换GAA，结构改变大，所以密度比较保守

cat339 · 发表于 2025-9-2 08:56

本帖最后由 cat339 于 2025-9-2 08:58 编辑

相比于英特尔的Intel 18A（184.21 MTr/mm²），Rapidus有着明显的优势。原因是英特尔加入了背面供电（BSPDN），占用了前端金属层的一部分，从而降低了密度。另外还有一点，英特尔更重视每瓦性能而不是原始密度，因此更高的逻辑密度并不是英特尔的主要目标，特别是Intel 18A更多地是用于内部设计的芯片。

天天骂牢英续航差, 结果骂出PTSD了

木谷高明 · 发表于 2025-9-2 09:44

mcq_2 发表于 2025-9-1 23:35
3nm到2nm节点没什么区别啊。

换GAA了，保守点比三星首次GAA良品率0%靠谱

Sza · 发表于 2025-9-2 10:54

我记得换GAA和背部供电提升的更多的是能耗表现。2nm的热流密度会不会进一步提高？

失落之翼 · 发表于 2025-9-2 10:58

等实物再看看？以前三爽也是各种推进然后漏电工艺

patema · 发表于 2025-9-2 18:14

本帖最后由 patema 于 2025-9-2 18:25 编辑

t222 发表于 2025-9-1 18:41
不是说砸钱去台积电头工艺的

—— 来自 realme RMX5010, Android 15, 鹅球 v3.5.99

这破事大概率是tel偷去调整设备好在蚀刻设备环节和应用材料与泛林抢订单。毛客户数据拿来调整设备在半导体设备商这里不算少见的事情

先进制程这种复杂系统工程还粘点技术生殖隔离的靠几张非本体技术路线的蚀刻环节照片就能偷来，并且2年完成原型生产。先不提现在中芯的n+3和n+2,美帝早就命令泛林和应用材料去偷了，英特尔还能混成现在这样吗

wqmq2008 · 发表于 2025-9-2 21:07

三星真是废物，还不如中芯的实力，中芯靠1980都能搓出130的MTr

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[新闻] rapidus的2nm极限密度公布了，以极其微小的优势超过了TSMC的无印2nm

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