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[硬件] SSD 关闭 windows写入高速缓存缓冲区刷新 有何影响?

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发表于 2016-9-14 01:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 robinsonyan 于 2016-9-14 01:58 编辑

新买的HP ENVY 15-as028TU ,配了一块512G的PCIE SSD,但是用AS SSD BENCHMARK测试的时候,seq写入才150M/s左右,4K写入不到1m/s。后来有人提醒关闭 windows写入高速缓存缓冲区刷新 ,成绩马上飙为seq写入500+M/s,4K写入100m/s左右。

既然关闭(打勾) windows写入高速缓存缓冲区刷新 对性能提升这么多,为什么windows10里面对这个设置是默认打开的(不勾)的?

难道这个设置对SSD的寿命有影响?

PS:自己百度搜了,没找到确切的答案,不知道会不会是我用错关键词了
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发表于 2016-9-14 07:08 | 显示全部楼层
http://bbs.pceva.com.cn/thread-44535-1-1.html

http://tieba.baidu.com/p/2629337008

几个参考,贴吧的这个是对上面的一个简单概括吧
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发表于 2016-9-14 08:21 | 显示全部楼层
为什么我勾了一下反而跑分降低了
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发表于 2016-9-14 09:07 来自手机 | 显示全部楼层
一般来说这个选项勾上会有性能提升,但是突然断电会丢失数据,所以默认是不勾选的
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发表于 2016-9-14 09:09 来自手机 | 显示全部楼层
因为你是pci-e的ssd。那个是针对走sata通道设备用来提升的。

----发送自 HUAWEI HUAWEI NXT-CL00,Android 6.0
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发表于 2016-9-14 12:08 | 显示全部楼层
加个UPS不就不怕了
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发表于 2016-9-14 17:39 来自手机 | 显示全部楼层
schneehertz 发表于 2016-9-14 09:07
一般来说这个选项勾上会有性能提升,但是突然断电会丢失数据,所以默认是不勾选的 ...

所以笔记本马上打勾关掉?

—— 来自 Xiaomi Redmi Note 3, Android 5.1.1
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发表于 2016-9-14 18:43 来自手机 | 显示全部楼层
likunplus 发表于 2016-9-14 17:39
所以笔记本马上打勾关掉?

—— 来自 Xiaomi Redmi Note 3, Android 5.1.1

不勾选比较保险
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发表于 2016-9-14 18:47 | 显示全部楼层
likunplus 发表于 2016-9-14 17:39
所以笔记本马上打勾关掉?

—— 来自 Xiaomi Redmi Note 3, Android 5.1.1

死机强关也是断电
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 楼主| 发表于 2016-9-14 19:08 | 显示全部楼层
yuriyang 发表于 2016-9-14 07:08
http://bbs.pceva.com.cn/thread-44535-1-1.html

http://tieba.baidu.com/p/2629337008
关闭写入缓冲区刷新意味着除非缓存写满,否则不会刷入硬盘,事实上很多数据是反复改写的,如果不刷入硬盘,改写就全部发生在内存上,这样很多本来要写入硬盘的数据就不用写入硬盘了,开启该选项等于减少了磁盘的写入。家用磁盘的瓶颈主要的突发的写入,持续写入是很少的,所以开启该选项家用情况下并没有必要,而且风险很大。


也就是说,这个PCIE SSD,实际4k 写入只有1m/s左右。
当我关闭 windows写入高速缓存缓冲区刷新 ,成绩马上飙为seq写入500+M/s,4K写入100m/s左右。这两个写入的爆涨,其实是内存的写入效率,不是SSD的真实的写入效率。

是这么理解的吗?
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发表于 2016-9-15 06:48 | 显示全部楼层
robinsonyan 发表于 2016-9-14 19:08
也就是说,这个PCIE SSD,实际4k 写入只有1m/s左右。
当我关闭 windows写入高速缓存缓冲区刷新 ,成绩 ...

有些你存盘了的东西也可能因为断电消失……
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