炸裂三棒发布850pro，40nm 3D 3D V-NAND，保修10年

沧海nog · 发表于 2014-7-2 12:46

保修10年其实蛮说明问题
标称寿命是150T，三棒内部测试说128G的版本写入8,000TB都还可以继续工作
http://www.anandtech.com/show/82 ... ew-enter-the-3d-era
根据之前这篇文章，30nm的V-nand是有35k的P/E，这年头20NM左右的MLC也就3k的P/E了
http://www.anandtech.com/show/72 ... ton-on-nand-scaling

别家的3D nand还没信号，三棒的已经搞出产品来了，不过感觉V-NAND现在还是有点试验品性质就是了

宏 · 发表于 2014-7-2 13:19

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choice · 发表于 2014-7-2 13:31

那么这技术用到tlc上能不能炸裂价格呢

沧海nog · 发表于 2014-7-2 14:30

choice 发表于 2014-7-2 13:31
那么这技术用到tlc上能不能炸裂价格呢

The initial design only stores two bits per cell, but if need be Samsung could also move to a TLC V-NAND.
其实这个技术能容量寿命炸裂，但是价格能不能炸裂我还真不清楚了

osk666 · 发表于 2014-7-2 14:43

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显示全部楼层 · 发表于 2014-7-2 14:47

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nemo_mxc · 发表于 2014-7-2 15:04

好屌的感觉。。。哪天有钱了换一个-_-

yzb · 发表于 2014-7-2 15:13

引用第5楼东方夷于2014-07-02 14:47发表的 :
引用:osk666 发表于 2014-7-2 14:43话说怎样查现在已经多少t？----发送自 S......

@东方夷
其他ssd能用这个查吗？

----发送自 STAGE1 App for Android.

显示全部楼层 · 发表于 2014-7-2 15:56

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novem · 发表于 2014-7-2 16:04

买买买，我的840 PRO哪年才能用坏啊

沧海nog · 发表于 2014-7-2 16:58

@osk666 @东方夷 @yzb
三星的控件应该只能查三星自己的SSD，而不是所有厂商都有控件
用CrystalDiskInfo可以查看写入量，应该大部分都能查
http://crystalmark.info/download/index-e.html
以后如果买新出SSD记得把软件更新一下才能看到

might · 发表于 2014-7-2 22:40

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沧海nog · 发表于 2014-7-2 23:31

本帖最后由沧海nog 于 2014-7-2 23:33 编辑

might 发表于 2014-7-2 22:40
价格炸裂是不可能的，半导体行业的市场手段无非是设一个价格，让竞争对手无钱可赚，让自己能继续研发，用 ...

存储行业毕竟还是要看看成本，技术革新如果能带来成本下降还是有看头的，U盘SD卡到现在白菜价位，SSD从最早高不可攀的价格现在也可以接受，就算以后价格不会降到很低，那也是和机械硬盘一样直接不搞低容量都卖大容量，就像HDD单盘都已经那么大了不可能搞小，SSD也是一样，三棒这个V-NAND已经做到单颗粒128G了，下面那篇文章也说了，三棒的意思是打算17年做到单颗粒1T呢

osk666 · 发表于 2014-7-3 01:04

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leviathan · 发表于 2014-7-3 02:39

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Larrabee · 发表于 2014-7-3 07:27

引用第12楼沧海nog于2014-07-02 23:31发表的 :
本帖最后由沧海nog 于 2014-7-2 23:33 编辑引用:might 发表于 2014-......

你说17年计划做到1t的颗，但是之前看到有说三爽先进制程的3d颗粒之前研发失败了。

----发送自 STAGE1 App for Android.

沧海nog · 发表于 2014-7-3 07:54

osk666 发表于 2014-7-3 01:04
哪里写着？

唔，那说明这玩意还读不明白你那块东芝的smart
看了下更新日志，等下一个版本吧

6.2.0 [2014/XX/XX]

Improved Corsair Force LS SSD support
Improved Toshiba SSD support
Added Sandisk Extream II support
Added Plextor SSD M6 series support

沧海nog · 发表于 2014-7-3 08:01

Larrabee 发表于 2014-7-3 07:27
你说17年计划做到1t的颗，但是之前看到有说三爽先进制程的3d颗粒之前研发失败了。

毕竟只是计划，也只是代表一个趋势罢了

Realplayer · 发表于 2014-7-3 08:05

宏发表于 2014-7-2 13:19
实验性10年保也够炸裂的了，除了传说中终身保修的U盘之类还有什么消费电子产品有这么长保修期吗 ...

内存，某台厂跟某德产的电供，都号称终身

卖哥 · 发表于 2014-7-3 13:08

Larrabee 发表于 2014-7-3 07:27
你说17年计划做到1t的颗，但是之前看到有说三爽先进制程的3d颗粒之前研发失败了。

三爽自己提出的3D结构失败了，现在是按海力士提出的结构做的，然后……比海力士还先推出。

Larrabee · 发表于 2014-7-3 14:14

引用第19楼卖哥于2014-07-03 13:08发表的 :
引用:Larrabee 发表于 2014-7-3 07:27你说17年计划做到1t的颗，但是之前看到......

单颗颗粒做到1t和三爽使用自家的结构还是别家的结构没太大关系吧，制程才是决定是否可以达到单颗1t的最关键因素。

----发送自 STAGE1 App for Android.

沧海nog · 发表于 2014-7-3 18:59

Larrabee 发表于 2014-7-3 14:14
单颗颗粒做到1t和三爽使用自家的结构还是别家的结构没太大关系吧，制程才是决定是否可以达到单颗1t的最关 ...

也不尽然，3D nand制约容量的因素还有一个是能堆多少层，这个是技术问题（很显然结构不同堆起来是不一样的）而不是单纯的制程问题了，堆的越高肯定是越困难的

宏 · 发表于 2014-7-3 19:35

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宏 · 发表于 2014-7-3 19:35

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卖哥 · 发表于 2014-7-3 19:45

宏发表于 2014-7-3 19:35
传说中用3M胶水粘起来的芯片呢？

封装时候再堆叠只是缩小了封装体积，并没有降低生产成本。

宏 · 发表于 2014-7-3 19:59

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Larrabee · 发表于 2014-7-3 20:00

卖哥发表于 2014-7-3 19:45
封装时候再堆叠只是缩小了封装体积，并没有降低生产成本。

那不成了存储卡经常常使用的多层堆叠封装的结构了

卖哥 · 发表于 2014-7-3 20:06

宏发表于 2014-7-3 19:59
不是传说可以提高性能吗

这种点对点的自然会比走PCB的总线更快，但生产的时候还是两块芯片。
但是3D工艺增加一层，也就是多晒几遍紫光多洗几遍药水的事情，实际上现代工艺本来就要比更早期的工艺更复杂。
打个比方吧，如果40nm堆五层的工艺复杂度和19nm工艺相当，那么他们单位容量的成本的就几乎没有差距，而且40nm的NAND会有更长的寿命。

Larrabee · 发表于 2014-7-3 20:07

沧海nog 发表于 2014-7-3 18:59
也不尽然，3D nand制约容量的因素还有一个是能堆多少层，这个是技术问题（很显然结构不同堆起来是不一样的 ...

但是单颗颗粒达到1T没有先进制程助力那简直就是痴人做梦

沧海nog · 发表于 2014-7-3 20:19

Larrabee 发表于 2014-7-3 20:07
但是单颗颗粒达到1T没有先进制程助力那简直就是痴人做梦

但是更高的制程堆高难度就更高啊，三星之前宣称V-nand是30～40nm，最早24层，后来说能做到32层，相比制程，层数带来的容量提升更大啊，当然这种东西肯定是一起进步的，但你说没有个1Xnm就堆不到1T我觉得是不见得的，现在制程进步也快到头了

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