【转】英特尔ZAM内存原型首秀：功耗暴降50%，单芯片512GB
本帖最后由 撒撒 于 2026-2-13 20:45 编辑IT之家 2 月 11 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（2 月 10 日）发布博文，报道称在 Intel Connection Japan 2026 活动中，英特尔首次公开了“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型。
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该项目由英特尔与软银子公司 Saimemory 共同推进，Saimemory 公司成立于 2024 年 12 月，于 2025 年 6 月全面投入运营，主要从事存储器及相关产品的研发、制造和销售。
在合作分工方面，英特尔将主要负责技术支撑、创新支持以及相关行业标准的制定与推动工作，充分利用其在先进封装、键合技术和系统级优化方面的长期积累。而 SAIMEMORY 则承担核心技术迭代、原型开发以及最终商业化落地的主导责任。通过这一明确的分工，双方能够高效整合各自优势，加速从实验室验证到市场部署的全链条进程。富士通也参与SAIMEMORY，与日本理化学研究所一起贡献10亿日元(700万美元)。据了解，其他合作伙伴包括新光电气工业、力积电半导体制造和东京大学。英特尔不会参与DRAM制造，力积电将负责制造。
项目时间表已得到官方确认：合作运营将于2026年第一季度正式启动；原型开发目标锁定在2027财年（即截至2028年3月31日的财年）内完成；商业化量产则计划于2029财年实现。此前部分早期披露中提及的“2027年原型问世”和“2030年前商业化”属于初步规划，现以财年节点为准，确保与企业财报和供应链节奏保持一致。
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英特尔政府技术首席技术官 Joshua Fryman 与英特尔日本首席执行官大野诚（Makoto Onho）共同出席了发布活动。
IT之家援引博文介绍，ZAM 技术的核心在于其独特的“Z-Angle”架构。与传统 HBM 内存垂直钻孔（TSV）的连接方式不同，ZAM 采用了错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔指出，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。
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根据现场公布的营销资料，ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达 512GB，这一数据远超当前主流内存产品的规格。
Wccftech：
https://wccftech.com/intel-showc ... for-the-first-time/
该开盘这玩意什么时候死了 天国的傲腾再看着 天国的3dxpoint
—— 来自 vivo V2324A, Android 16, 鹅球 v3.5.99 这产品感觉比HBM的成本还要高，单芯片512GB有这个需求吗？真别怪大家觉得是下一个傲腾。 2030年商业化 速度呢？慢的话不就只能当缓存用？ 这怎么做啊，通过不同晶向的各项异性实现斜向刻蚀？
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