根据techinsights的拆解报告，长江存储TiPlus7100存在虚假宣传
本帖最后由 春眠不觉晓 于 2022-11-11 21:20 编辑https://www.techinsights.com/blo ... s-was-expecting-see
google机翻
YMTC 的 Xtacking 3.0——不是 TechInsights 期待看到的
长江存储科技公司(YMTC)自 2016 年成立以来一直是头条新闻。长江存储被认为是中国领先的 NAND 存储器集成设备制造商(IDM)，一直在快速发展。他们在 2018 年的闪存峰会 (FMS) 上首次推出了 Xtacking 1.0 架构，随后在 2019 年推出了 Xtacking 2.0。
与众多科技公司一样，2022年对于长江存储来说是过山车之年。首先是苹果计划将长江存储的 128L 芯片整合到其产品中的广泛消息，然后在美国政府对长江存储实施限制时迅速发生了翻天覆地的变化。与此同时，长江存储发布了 Xtacking 3.0 现已推出的新闻稿，这引发了人们质疑该公司是否仍能在没有苹果持续支持的情况下大规模生产该设备。
TechInsights 将 Xtacking 3.0 视为 2022 年最具颠覆性的技术之一。首先，创新架构在新兴的内存半导体行业中并没有真正的同行；其次，最近对长江存储的限制使这项技术成为地缘政治的焦点。
本周，TechInsights 团队收到了几台 TiPlus7100，这是第一个应该使用 Xtacking 3.0 的设备。我们对我们的发现感到惊讶。
TechInsights 发现了什么？
根据长江存储关于 Xtacking 3.0 的新闻稿，该技术可以在每个版本的 TiPlus7100 高速 SSD 中找到。 TechInsights 购买了 512GB 和 1TB； 2TB 尚未可供购买。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/1.ZhiTai-TiPlus7100-1-TB-SSD-Images.png
图 1.TiPlus7100 1 TB SSD 图片
TechInsights 尚未在我们拆除的任何 TiPlus7100 模型中发现 Xtacking 3.0。 到目前为止，TechInsights 已对模具进行了评估：
是 128L(图 5)，不是 232L
包括 2x2 平面的芯片布局(图 4)，而不是 YMTC 描述的 3x2
不包括 Xtacking 3.0 功能，例如背面源连接 (BSSC) 或中央 X 解码器。
TiPlus7100 1 TB SSD 中有两个 512 GB NAND 封装(图 2)。 印刷电路板 (PCB) 上有两个备用插槽。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/2.PCB_.jpg
132 引脚球栅阵列 (BGA) 多芯片封装 (MCP) 尺寸为 18.0 mm × 12.0 mm × 0.9 mm(图 3)。 封装日期代码为 2022 年第 37 周，表示封装是在 9 月的时间范围内完成的(Xtacking 3.0 在 2022 年闪存峰会上首次亮相后不久)。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/3.%20YMTC%20NAND%20package%20images.png
每个 NAND 封装中有 8 个 NAND 裸片(CDT2A 的裸片标记)。 CDT2A 芯片的布局为 2×2 平面(图 4)。 这与之前的 YMTC 128L 芯片布局 不同，后者具有 1x4 平面。 TechInsights 的分析显示，新的 YMTC CDT2A 芯片实际上是 YMTC 128 层 3D NAND，总门数为 141(图 5)。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/4.CDT2A%20Die%20Image.png
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/5.%20Cross-Sectional%20SEM%20images%20of%20Memory%20Array.png
一些消息人士猜测，随着苹果的退出，长江存储可能没有足够的资金来大批量生产 Xtacking 3.0。 可能是 TechInsights 在我们寻找零件时不够幸运，无法通过真正的 Xtacking 3.0 保护少数零件之一。
TechInsights 的分析仍在继续——我们仍在深入研究 512GB 和 1TB。 似乎这些软件包可能包含 Xtacking 2.0 和 3.0 的混合。 我们的采购工作仍在继续。 如果有 Xtacking 3.0，TechInsights 会找到它。
Xtacking 技术的演变——Xtacking 3.0 中有什么？
Xtacking 是长江存储创新的 3D NAND 架构的注册商标，该架构涉及 CMOS 晶圆和存储单元晶圆的晶圆键合，如图 6 所示。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/6.Xtacking.png
从 Xtacking 1.0 到据称包含在 Xtacking 3.0 中的主要演变点可以总结如下：
Xtacking 1.0 使用晶圆对晶圆键合来提高电池效率并缩短开发时间。
Xtacking 2.0 使用硅化镍 (NiSi) 代替硅化钨 (WSi)，以提高 CMOS 晶圆的器件性能和 I/O 速度
Xtacking 3.0 为存储单元晶圆引入了背面源极连接 (BSSC)，从而简化了工艺并降低了成本
在 FMS 2022 上，长江存储谈到了 1 Tb 芯片 X3-9070(如图 7 所示)，该芯片具有六个平面，每个平面具有异步多平面独立 (AMPI) 操作，并带有中心 X 解码器 (X-DEC)； Xtacking 3.0 可以将速度提高 50% 的架构。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/7.Representation%20of%20the%20YMTC%201%20Tb%20die%20%28X3-9070%29.png
随着 BSSC 的实施，长江存储可能会消除具有挑战性的 ONO 蚀刻(在 Si 沟道沉积之前)和昂贵的选择性外延生长 (SEG) Si。图 8 显示了 YMTC 64-L(使用 Xtacking 1.0)和 YMTC 232-L(使用 Xtacking 3.0)之间的预期变化。由于 Adeia(原 Xperi)将其混合键合技术授权给 YMTC，因此键合界面也有可能发生材料变化。
注：TechInsights对长江存储自2016年以来发布的所有内存产品进行了全面分析，包括Xtacking 1.0和Xtacking 2.0。订阅者可以在 TechInsights 平台中访问这些数据，其他感兴趣的方可以联系 TechInsights 以请求更多信息。
众所周知，Xtacking 3.0 将出现在 232L 模具中。 232L 堆叠 WL 结构的大寄生电容会导致性能下降。为了应对这种退化，与边缘 XDEC 相比，中心 XDEC 设计将 WL 电容减少了一半，并减少了 RC 负载和 RC 延迟 (tRC)。 Center-XDEC 设计可以减少 WL 建立时间和为 WL 充电所需的电流。通过采用center-XDEC，与之前的edge-XDEC相比，性能可以提升15~20%。基于这些原因，TechInsights 确信 center-XDEC 将成为 3D NAND 芯片设计的主流。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/8.Images%20showing%20features%20of%20Xtacking.png
Xtacking 3.0 的其他内存相关功能/过程预计与 YMTC 128-L (Xtacking 2.0) 中的类似，如图 9 所示。
https://www.techinsights.com/sites/default/files/2022-11/9.Images%20showing%20features%20of%20Xtacking%202.0.png
Ichthys 发表于 2022-11-11 19:45
之前不是说用了么，其他容量的nand？
TechInsights拆解的是512G和1TB的版本 用了Xtacking 3.0的2400mt的接口芯片和4plane 128层的存储芯片。
倒是贴吧那边还有测出来同方案的海康cc700 2T版用的是YMTC 8plane的存储芯片，和已知的都不一样，希望TechInsights能拆一下这个。 waldo 发表于 2022-11-11 19:57
用了Xtacking 3.0的2400mt的接口芯片和4plane 128层的存储芯片。
倒是贴吧那边还有测出来同方案的海康cc700 ...
Xtacking 3.0应该是232层 本帖最后由 dragrass 于 2022-11-11 20:11 编辑
有点蒙，感觉在这种细节技术上虚假宣传感觉没啥意义啊
—— 来自 S1Fun 何必呢，把名声搞臭了，以后谁还敢支持国产
—— 来自 HONOR LGE-AN00, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.4 春眠不觉晓 发表于 2022-11-11 20:05
Xtacking 3.0应该是232层
应该说ymtc在年中发布的X3-9070这个1TB芯片是Xtacking 3.0架构，232层，有2400MT/s的IO能力。
春眠不觉晓 发表于 2022-11-11 20:05
Xtacking 3.0应该是232层
没有这么宣传过，可以做那么多层但不是必须那么多层，官方也从未给出过具体规格
TiPlus7100产品宣传上也只提了接口速度提升 aruruu 发表于 2022-11-11 20:17
何必呢，把名声搞臭了，以后谁还敢支持国产
—— 来自 HONOR LGE-AN00, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5. ...
会找这种借口的本来大概率也不会支持。 本帖最后由 0WHan0 于 2022-11-11 20:34 编辑
Xtacking不是他自己的技术嘛，包括闪存和外围，自己定义一下只要是部分使用该技术就可以标Xtacking3.0就行了就像USB3.2一样，弄一套Xtacking3.0Gen1x2 仅外围；Xtacking3.0Gen2x1 仅闪存； Xtacking3.0Gen2x2 闪存和外围
似曾相识 “华为Mate20系列并未使用 UFS2.1闪存” 发条计算机 发表于 2022-11-11 20:48
似曾相识 “华为Mate20系列并未使用 UFS2.1闪存”
你在说啥呢，mate20就是全系ufs2.1啊 滚出去，你个假粉丝。
7100 只宣传用了 xtacking 3.0，但是没说用了232层啊---
然天一一开始就说了是128层的Xtacking 3.0
从数据测试看，7100是目前最强无缓盘了,达到了SN810 KC3000这种有缓盘的成绩
不会觉得这个成绩，不在颗粒上有点东西，套联云公版方案能达到的吧 故意找事的吧 Xtacking本来就是一个技术体系 又不是单指闪存层数 宣传和制裁配合挺好的
—— 来自 Xiaomi M2012K11AC, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.4 下一块就买致钛7100了 0WHan0 发表于 2022-11-11 20:54
你在说啥呢，mate20就是全系ufs2.1啊
记岔了，应该是Mate9P10那一代的。 翻译一下就是"长江储存凭借老旧的技术做出了7000mb的ssd?,不可能这一定是骗我的" 发条计算机 发表于 2022-11-11 21:45
记岔了，应该是Mate9P10那一代的。
mate9全系ufs（2.0比2.1快
p10混用挺畜生 d4 d5速度上来之后感觉无缓盘才是趋势才是答案，借用内存就有一样速度的话何必多一颗运存？
加上成本也是算到售价里 还多一个故障点主控好一点，价格好一点，容量大一点，谁管你有缓无缓，何况致钛这个满盘写入都有1.5g/s clover9017 发表于 2022-11-11 21:52
翻译一下就是"长江储存凭借老旧的技术做出了7000mb的ssd?,不可能这一定是骗我的" ...
本来SSD的很多新技术就是除了cost down以外一无是处的
不然大家为什么不买最先进的QLC？ ls2021 发表于 2022-11-11 23:00
本来SSD的很多新技术就是除了cost down以外一无是处的
不然大家为什么不买最先进的QLC？ ...
你在说什么，层数堆叠和单die io性能提升整体上对性能是正向收益，不会真以为新主控贴上老slc性能就天下无敌了吧？ Xstack 3.0跟232层可能关系不大，就是一个改善cmos性能的架构改进。cmos响应速度问题在>128L的产品开发中是个大问题，达不到标称的速度 这宣传和制裁配合挺好
—— 来自 OnePlus KB2000, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.2-play YMTC’s Xtacking 3.0 – Not what TechInsights was expecting to see
存在虚假宣传你这标题才是虚假宣传吧
—— 来自 S1Fun 飞侠小黑 发表于 2022-11-12 07:35
这宣传和制裁配合挺好
—— 来自 OnePlus KB2000, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.2-play ...
来自美帝的认可比什么榜单都有效嘛
—— 来自 S1Fun 存储看性能指标就行，又不是玄学 比较关心笔记本掉盘问题，先等买了的测试一段时间
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