一个脑洞！关于目前的闪存芯片的
我没有去考证过！说的不对的话就当我在放屁欢迎指正
在我理解以来闪存的原理无非就是断电状态晶体管结构可以保存部分电子，以此来当做计算机的0跟1（SLC）
控制芯片的任务就是检查映射表内这些晶体管里面的含电情况而已（读取）
那么问题来了
假如说slc是一个萝卜一个坑的话（每一个存储单元仅有含电跟不含电两种状态）
MLC是4个萝卜一个坑（不含电为数据00，其他的01，10，11三种状态用不同的含电量来识别）
到TLC可就变成8个萝卜一个坑了，qlc更是无法想像！！
其中相同制程工艺下的产品可以认为一个存储单元内可以保留的电量最大值是一样的，但是随着制程变小晶体管体积缩减，这个电量最大值100%会越来越小
如下图所示！
http://bbs.pceva.com.cn/data/attachment/forum/201510/02/001937w4rljaalfasr3c5m.jpg
这其中每种状态之间的电位差距越来越小
然后，大家都知道，漏电这种事情是无法避免的，你只能减少他，但是无法杜绝
正因为漏电，控制芯片就多了个比读取还累的活-纠错
我觉得现在的纠错方式除了一般的crc以外估计还有根据文件存储日期推断掉电量纠错的功能，否则光靠穷举纠错也太费事了，当然这仅仅是我的猜想，搞不好人家就没有
所以难怪我买的1T840evo，在我写满78%以后旧数据读取只有10MB/s（33%一下模拟slc存储，66%以下模拟MLC存储，随着数据增加旧数据会以TLC模式重新写入单元格来释放存储空间）
你们有没有发现，自从SSD厂家全面转入TLC以后，大家都开始拿接口协议速度为卖点了！
因为存储芯片本身已经是一个大垃圾了，他们没办法拿出来吹，否则在美国之类地区会被告到破产
你有没有发现，你装了新ssd的电脑，每天第一次开机进系统的时间比你重新启动在进入要明显慢很多，m2接口的ssd，断电首次开机的启动时间跟你sata3甚至sata2的ssd的机器完全一样
因为断电开机读取的时候ssd缓存芯片里没有数据，你需要的数据都是从闪存芯片里读取的，闪存芯片有多快，你首次开机就是多快
协议接口仅仅是高速公路，给你8车道你在上面开小奥拓又怎么可能快的起来？
所以说，买ssd还是要看存储芯片
intel新出的ssd 600p是3d tlc卖的价格和用2d tlc的低端ssd差不多，所以2d tlc肯定会被淘汰了，3d tlc比2d tlc写入快，耐久也高没事搬运下数据就不会掉速了。
阿斯特纳冈 发表于 2016-8-29 16:00
只知道买了这么多ssd，都能秒杀机械盘就够了
无法长期断电保存数据你怎么秒杀别人？？
你要带电供着ram disk最快 killsx 发表于 2016-8-29 15:35
intel新出的ssd 600p是3d tlc卖的价格和用2d tlc的低端ssd差不多，所以2d tlc肯定会被淘汰了，3d tlc比2d t ...
你这个没事搬运一下数据的说法大概很好的说明了你是小容量使用者，
我1T时**始这个没事搬运一下数据的过程就已经很痛苦了（这还仅仅是几个月里下载的电影搬进机械硬盘存档而已）
除非厂家自己出一个在底层数据自动搬运重写的软件
否则你想在操作系统里面手工完成是受限制的，你的windows就无法搬运！
但是重写要损耗闪存寿命，一般除了三星这种不要脸的公司以外，我想也不会有其他公司愿意提供这类软件给用户！
xxad 发表于 2016-8-29 17:18
你这个没事搬运一下数据的说法大概很好的说明了你是小容量使用者，
我1T时**始这个没事搬运一下数据的过程 ...
我说的就是固件自己搬运旧文件，三星850evo不是就是会自动搬运吗，3d tlc闪存的寿命应该是没问题吧，反而2d tlc制程到头了，价格也没便宜多少，pe估计也就几百了 SSD的纠错算法不是ECC吗，怎么成了穷举CRC了
SSD一直是买实际读写速度的嘛，什么时候卖接口速度了，就是因为SATA速度跟不上内部速度才换PCIE的啊，不然大家都说自己6Gbps的话还有什么竞争空间啊？
TLC的存储一直是TLC，不存在容量到多少就改变存储模式的吧，如果像你说的那样搞，那写入放大会很大的（65%变到67%，1T的话……），而且需要读取3页数据->擦掉2页->写入2页这样，如果这么搞的话，改变排列顺序的时间会让系统性能下降的
冷启动肯定比热启动慢啊，启动过程不一样，以前用HDD的时候也有这个情况，但是HDD载入系统占用的时间太长了所以感觉不出来
扯这么多干嘛，现在最主要的矛盾是闪存芯片还不够便宜，等SSD 价格降到2，3百块1TB了，就没人关心什么寿命了 yuxiao 发表于 2016-8-30 11:09
扯这么多干嘛，现在最主要的矛盾是闪存芯片还不够便宜，等SSD 价格降到2，3百块1TB了，就没人关心什么寿命 ...
QLC颗粒等着你，颗粒寿命100次 Larrabee 发表于 2016-8-30 11:35
QLC颗粒等着你，颗粒寿命100次
你觉得厂商会做出一款正常负载用几个月就损坏的消费级产品么？ yuxiao 发表于 2016-8-30 12:00
你觉得厂商会做出一款正常负载用几个月就损坏的消费级产品么？
想要大容量低价格QLC已经很好了，还有现在厂商都已经公开讨论了 Larrabee 发表于 2016-8-30 12:14
想要大容量低价格QLC已经很好了，还有现在厂商都已经公开讨论了
SSD 最后的思路就是大家都用更低P/E cycle的介质做出同容量下比上一级介质更便宜但是总寿命差不多的产品。消费者只管用就可以了，别研究什么介质寿命，只要正常使用周期内别坏，价格还便宜就行 吹TlC的不全是傻逼 闪存纠错技术的发展那就是打补丁技术的发展，SLC是布料磨破了打补丁，MLC是丝袜勾破了打补丁，TLC那就是网袜，不用磨也不用勾，上来就补丁。3D闪存技术？那只是更大号的丝袜或网袜，好让占绝大多数的大象腿妞儿穿上罢了，撑大了更容易破，继续升级补丁技术。 ccen3020 发表于 2016-8-29 21:42
SSD的纠错算法不是ECC吗，怎么成了穷举CRC了
SSD一直是买实际读写速度的嘛，什么时候卖接口速度了，就是因 ...
不少SSD都有模拟slc、mlc的功能，比如说东芝q pro，默认slc模式，用到一半以上再恢复到mlc存储结构。
—— 来自 xiaomi Redmi Note 3, Android 6.0.1 edes 发表于 2016-8-31 17:19
不少SSD都有模拟slc、mlc的功能，比如说东芝q pro，默认slc模式，用到一半以上再恢复到mlc存储结构。
— ...
那已有数据怎么办……
ccen3020 发表于 2016-8-31 20:55
那已有数据怎么办……
后台慢慢搬运咯...消耗pe换取性能，对于写入量不大的场景还是比较合适的
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